文献综述
1.1研究背景和意义在当代的国际形势下,芯片的制备和发展在国家科技实力中有着举足轻重的地位。
芯片变小的同时,却容纳更多电路和电源,这其中就需要优异的散热条件。
绝缘基板的导热性是影响整体器件散热的关键,已成为一个重要挑战。
具有多种优异性能的环氧树脂(EP)已被广泛用作导热复合材料基板的基体。
环氧树脂(EP)基复合材料具有优异的力学性能、耐环境降解性、耐磨性、电绝缘性、成本低、易加工等优点。
但是,其导热系数低、热稳定性差等缺点[1-2],严重限制了其在热管理系统中的应用。
为了提高EP复合材料的热导率,通过向其中引入高导热系数及高绝缘性等性能的陶瓷绝缘粉体可有效弥补EP的缺陷。
Si3N4、BN、AlN、TiN、SiC等陶瓷绝缘纳米粉体是一类具有高硬度、耐高温、耐磨损、耐腐蚀等高性能的纳米材料[3]。
其中,高导热陶瓷填料氮化硼(h-BN)不仅具有高导热性、优异的抗氧化性、低介电常数等优点[4-5],同时5~6eV的宽带隙也使其具有极高的电绝缘性能[6-8],这些特性使h-BN在导热绝缘热管理系统中具有更广阔的应用空间。
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