CuInS2敏化ZnO纳米棒薄膜的制备与表征文献综述

CuInS2敏化ZnO纳米棒薄膜作为一种新型的光电材料，在太阳能电池、光催化等领域具有广泛的应用前景。

本综述回顾了ZnO纳米棒和CuInS2纳米粒子的制备方法，重点介绍了CuInS2敏化ZnO纳米棒薄膜的制备方法，包括水热合成法、化学浴沉积法、旋涂法等，并详细阐述了其表征手段，如X射线衍射、透射电子显微镜、紫外-可见光光谱、光致发光光谱等。

此外，还探讨了CuInS2敏化ZnO纳米棒薄膜的性能影响因素，如CuInS2纳米粒子的尺寸、浓度、敏化时间、退火温度等。

最后，展望了CuInS2敏化ZnO纳米棒薄膜的未来发展方向。

关键词：CuInS2，ZnO，纳米棒，薄膜，敏化

1.1ZnO纳米棒ZnO纳米棒作为一种重要的半导体纳米材料，因其独特的物理化学性质而备受关注。

其一维结构赋予其高比表面积、优异的电子传输性能和光学性质。

ZnO纳米棒的制备方法多样，包括水热法[1,2]、化学气相沉积法[3]、模板法等[4]。

1.2CuInS2纳米粒子CuInS2是一种直接带隙半导体材料，具有较高的吸收系数和良好的光电性能。

其纳米粒子具有量子尺寸效应，可以调节其光学和电学性质。