SnSe中空位缺陷的正电子湮没研究文献综述

硒化锡（SnSe）作为一种新型热电材料，近年来因其优异的热电性能和环境友好性受到了广泛关注。

然而，SnSe材料中普遍存在的空位缺陷对其热电性能有重要影响，深入理解空位缺陷的形成机制、类型和浓度对SnSe材料的性能优化至关重要。

正电子湮没技术作为一种灵敏、无损的材料微观缺陷探测技术，能够有效地识别和量化SnSe材料中的空位缺陷。

本综述首先介绍了SnSe材料的特性、应用及空位缺陷的研究背景，接着阐述了正电子湮没技术的原理及其在缺陷研究中的应用，重点概述了国内外利用正电子湮没技术研究SnSe材料中空位缺陷的最新进展，包括空位缺陷的类型、浓度、形成能以及对材料热电性能的影响等，最后对该领域未来的研究方向进行了展望。

关键词：硒化锡；空位缺陷；正电子湮没；热电材料；缺陷表征

#1.1硒化锡（SnSe）材料硒化锡（SnSe）作为一种典型的IV-VI族层状半导体材料，具有低毒性、储量丰富、成本低廉等优势，近年来在热电领域展现出巨大的应用潜力。

2014年，Zhao等人[5]首次报道了单晶SnSe在923K时具有高达2.6的热电优值（ZT值），突破了长期以来热电材料ZT值难以突破2.0的瓶颈，引发了研究者对SnSe材料的广泛关注。

SnSe优异的热电性能主要归因于其独特的层状结构和强烈的非谐声子散射，这些因素导致其具有较低的热导率。

#1.2空位缺陷空位缺陷是晶体材料中普遍存在的一种点缺陷，指晶格中某个原子或离子缺失而形成的空位。

空位缺陷的类型和浓度取决于材料的制备工艺、化学成分以及外界环境因素等。