简易共沉淀法生长Sb2O3纳米线及其光电性能研究文献综述

文献综述

一、简易共沉淀法生长Sb2O3纳米线及其光电性能的研究背景光电探测器是光通信中的关键器件,在通信、军事、医疗和安全监测等领域发挥着举足轻重的作用。

在可见光或近红外波段，光电探测器主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等；在红外波段主要用于导弹制导、红外热成像、红外遥感等方面。

近些年来，为了实现光电探测的便携化和可穿戴化，高质量的光电探测器设计与制备受到了人们的日益关注。

一维无机纳米材料具有高的长径比，各向异性特点明显。

其独特的电子限域特点有利于电子和空穴的保持与分离，能有效延长载流子寿命，展现出优秀的光电特性。

同时，线性的几何结构，使得对外力具有很好的弹性，导致在发生形变后，材料表面不会产生裂纹。

在20世纪二维半导体是否存在成为一个备受争议的话题，直至2004年，二维半导体材料制备成功后才开启了科研人员对二维半导体材料的集中研究，这主要是基于二维半导体特殊的结构和物理性质。

随着二维半导体材料更多功能的发现，如今二维半导体光电探测器开始被应用于人们的日常生活中。

随着对二维半导体材料的深入研究，很多材料也开始被发现，并被纳入二维半导体材料的研究范畴，如第三主族金属硫化物，第四主族金属硫化物等，这些材料经过相关实验数据证实在二维半导体的应用方面也具有较大的潜力。