摘要
三氧化钼(MoO3)作为一种n型过渡金属氧化物半导体材料,由于其独特的物理化学性质、丰富的晶体结构和易于调控的形貌,在电化学储能、催化、传感等领域展现出巨大的应用潜力。
近年来,研究者发现通过引入氧缺陷可以有效调控MoO3的电子结构和表面性质,进而显著提升其电化学性能。
本综述首先介绍了MoO3的结构特点、性质以及氧缺陷的类型和表征方法;其次,重点综述了氧缺陷对MoO3电化学性能的影响,包括循环稳定性、倍率性能、电导率等方面,并对相关机理进行了深入探讨;最后,展望了氧缺陷调控MoO3电化学性能的研究方向和未来发展趋势。
关键词:三氧化钼;氧缺陷;电化学性能;储能;催化
随着全球能源需求的日益增长和环境污染问题的加剧,开发高效、清洁的新能源存储与转换技术迫在眉睫。
电化学储能技术,例如锂离子电池、超级电容器等,因其高能量密度、高功率密度和长循环寿命等优点,成为近年来研究的热点领域[1]。
电极材料作为电化学储能器件的关键组成部分,其性能直接决定着器件的最终性能。
因此,开发高性能电极材料成为推动电化学储能技术发展的重要方向。
三氧化钼(MoO3)作为一种典型的n型过渡金属氧化物半导体材料,具有丰富的晶体结构(α-MoO3,β-MoO3,h-MoO3)、多样的形貌(纳米线、纳米带、纳米片等)以及独特的物理化学性质,在电化学储能、电催化、传感器和光催化等领域有着广泛的应用前景[2-3]。
然而,MoO3较低的电子电导率和较差的循环稳定性限制了其进一步发展。
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