溶胀法制备高稳定性、高亮度有机钙钛矿薄膜文献综述

文献综述

铅卤钙钛矿 CH3NH3PbX3/MAPbBr3 (MA = CH3NH3, X = Cl, Br, I)由于其优异的光吸收系数，长的载流子扩散长度和高缺陷容忍度而具有巨大的应用前景。

Guichuan Xing等利用飞秒瞬态光谱技术研究钙钛矿与选择性电子或选择性空穴提取材料构成的双层界面，发现了溶液处理后的CH3NH3PbI3中平衡的长程电子空穴扩散长度至少为100纳米的具体证据。

如此高光电转换效率源于其优异的光吸收长度和电荷载流子扩散长度，这超越了传统的溶液处理半导体的限制。

1Y. Chen等在稳态输运研究中直接测量了杂化钙钛矿材料的本征霍尔迁移率和光载流子复合系数。

结果表明，杂化钙钛矿中的电子-空穴复合和载流子俘获率很低。

双分子复合系数（1011比1010cm3s1）发现，与最佳的直接带无机半导体相比，即使混合钙钛矿中的固有霍尔迁移率显著降低，但是在这里测量的稳态载流子寿命（高达3ms）和扩散长度（长达650mu;m）也比高纯度晶体无机半导体中的长得多。

这些实验结果与电荷载体的极化子性质是一致的，这是电荷与甲基铵偶极子相互作用的结果。

2Dong Shi等报告了一种抗溶剂蒸汽辅助结晶方法，通过这种方法创建了体积超过100立方毫米的大尺寸无裂纹的MAPbX3单晶。

这些大单晶的光学和电荷传输特性可以被祥知。