掺杂GaN材料的光电特性研究文献综述

氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的代表，以其宽禁带、高电子迁移率、高击穿场强等优异性能，在光电子器件和电力电子器件领域展现出巨大潜力。

然而，GaN材料的光电性能与其掺杂情况密切相关。

本文综述了掺杂GaN材料光电特性的研究进展，首先介绍了GaN材料的基本性质，阐述了掺杂对GaN材料光电特性的影响机制，包括对载流子浓度、能带结构、缺陷类型和浓度的影响。

其次，详细介绍了不同掺杂类型，包括n型掺杂、p型掺杂以及共掺杂对GaN材料光电特性的影响，并总结了各种掺杂方法的优缺点。

最后，展望了掺杂GaN材料光电特性研究的发展趋势，指出未来研究方向应集中于新型掺杂技术、掺杂GaN材料在新型光电器件中的应用以及掺杂GaN材料与其他材料的复合等方面。

关键词：氮化镓，掺杂，光电特性，发光二极管，晶体管

GaN作为一种直接带隙半导体材料，具有3.4eV的宽禁带宽度，以及高电子迁移率、高击穿场强和优异的化学稳定性等特性，在光电子器件，例如发光二极管（LED）、激光二极管（LD）和光电探测器，以及电力电子器件，例如高电子迁移率晶体管（HEMT）和肖特基二极管等领域具有广泛的应用前景[1-3]。

GaN材料的光电性能与其掺杂情况密切相关。

掺杂可以改变GaN材料的载流子浓度、能带结构和缺陷类型，从而影响其光吸收、载流子传输和发光效率等特性。

例如，n型掺杂可以提高GaN材料的导电性，p型掺杂可以实现GaN基pn结，而共掺杂可以调节GaN材料的发光波长和强度[4-6]。